财联社资讯获悉，国家发改委近日首次明确“新基建”范围——以新发展理念为引领，以技术创新为驱动，以信息网络为基础，面向高质量发展需要，提供数字转型、智能升级、融合创新等服务的基础设施体系。在以5G、物联网、工业互联网等为代表的“新基建”主要领域中，第三代半导体均可发挥重要作用。
第三代半导体即宽禁带半导体，以碳化硅和氮化镓为代表，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件。近日发布的《第三代半导体产业技术发展报告（2019年）》预测，2024年我国第三代半导体电力电子器件应用市场规模将近200亿元，未来5年复合增长率超过40％。市场分析认为，“新基建”提速为我国第三代半导体产业发展提供了宝贵机遇，国内市场对第三代半导体材料和器件的需求快速提升，终端应用企业也在调整供应链，扶持国内企业，此前难以进入供应链的产业链上中游产品将获得下游用户验证机会，进入多个关键厂商供应链。
A股上市公司中，捷捷微电与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发了以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，具有耐高压、耐高温、 高速和高效等优点。耐威科技控股子公司聚能晶源投资建设的第三代半导体材料制造项目（一期）已正式投产。海特高新具备砷化镓2000片/月，氮化镓600片/月的晶圆制造能力，部分产品实现量产交付。
